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英飛凌OptiMOS 6 80V MOSFET樹立領(lǐng)先AI服務(wù)器平臺DC-DC功率轉(zhuǎn)換效率新標(biāo)準(zhǔn)

簡介英飛凌OptiMOS? 6 80 V——最新的功率MOSFET技術(shù)，通過廣泛的產(chǎn)品組合設(shè)定了新的行業(yè)基準(zhǔn)性能，包括PQFN 3.3x3.3，SuperSO8、雙面散熱PQFN 5x6 以及源極向下 PQFN 3.3x...

英飛凌 OptiMOS 6 2025-12-24

英飛凌OptiMOS 6 80V MOSFET樹立領(lǐng)先AI服務(wù)器平臺DC-DC功率轉(zhuǎn)換效率新標(biāo)準(zhǔn)

隨著圖形處理器（GPU）的性能日益強(qiáng)大，對板級電源的要求也越來越高。中間總線轉(zhuǎn)換器（IBC）可將48 V輸入電壓轉(zhuǎn)換為較低的總線電壓，這對于AI數(shù)據(jù)中心的能效、功率密度和散熱性能愈發(fā)重要。英飛凌科技股份公司近日宣布，其采...

英飛凌 OptiMOS 2025-05-16

英飛凌推出OptiMOS? Linear FET 2 MOSFET，賦能先進(jìn)的熱插拔技術(shù)和電池保護(hù)功能

為了滿足AI服務(wù)器和電信領(lǐng)域的安全熱插拔操作要求，MOSFET必須具有穩(wěn)健的線性工作模式和較低的?RDS(on)?。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出的新型OptiMOS? 5 ...

英飛凌 OptiMOS 2024-11-28

英飛凌OptiMOS? 7 40V 車規(guī)MOSFET ，助力汽車控制器應(yīng)用

OptiMOS? 7 40V 車規(guī)MOSFET概況采用OptiMOS? 7 技術(shù)的40V車規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列，進(jìn)一步提升比導(dǎo)通電阻，減小RDSON*A，即在同樣的晶圓面積下實(shí)現(xiàn)更低的RDSON，或者說在更小的晶圓面積...

OptiMOS MOSFET 2024-07-18

新型OptiMOS 7 MOSFET改進(jìn)汽車應(yīng)用中的導(dǎo)通電阻、設(shè)計(jì)穩(wěn)健性和開關(guān)效率

英飛凌科技股份公司正在擴(kuò)大其用于汽車應(yīng)用的下一代OptiMOS? 7 MOSFET產(chǎn)品組合，在40 V?產(chǎn)品組合中新增了采用穩(wěn)健且無鉛封裝的器件，并且推出了80 V和100 V型號的OptiMOS? 7 MOSFET。這...

英飛凌科技汽車應(yīng)用 2024-06-18

英飛凌為汽車應(yīng)用推出業(yè)內(nèi)導(dǎo)通電阻最低的80 V MOSFET OptiMOS? 7

英飛凌科技股份公司近日推出其最新先進(jìn)功率MOSFET?技術(shù)——?OptiMOS? 7 80 V的首款產(chǎn)品IAUCN08S7N013。該產(chǎn)品的特點(diǎn)包括功率密度顯著提高，和采用通用且穩(wěn)健的高電流SSO8 5 x 6 mm2 ...

英飛凌 MOSFET 2024-04-15

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optiMOS

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新型OptiMOS 7 MOSFET改進(jìn)汽車應(yīng)用中的導(dǎo)通電阻、設(shè)計(jì)穩(wěn)健性和開關(guān)效率

英飛凌為汽車應(yīng)用推出業(yè)內(nèi)導(dǎo)通電阻最低的80 V MOSFET OptiMOS? 7

infineon optiMOS P溝道40V實(shí)驗(yàn)資料

infineon optiMOS P溝道30V-40V實(shí)驗(yàn)資料

infineon optiMOS P溝道PSpice實(shí)驗(yàn)資料

infineon optiMOS T溝道100V實(shí)驗(yàn)資料

infineon optiMOS T溝道30V實(shí)驗(yàn)資料

infineon optiMOS T溝道55V實(shí)驗(yàn)資料

infineon optiMOS T溝道40V實(shí)驗(yàn)資料

infineon optiMOS實(shí)驗(yàn)軟件 55V

infineon optiMOS實(shí)驗(yàn)軟件 40V

infineon optiMOS電源轉(zhuǎn)換器

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