英飛凌技術(shù)社區(qū)

英飛凌

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立，至今在世界擁有35，600多名員工，2004財(cái)年公司營(yíng)業(yè)額達(dá)71。9億歐元，是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。作為國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的領(lǐng)導(dǎo)者，英飛凌為有線和無線通信、汽車及工業(yè)電子、內(nèi)存、計(jì)算機(jī)安全以及芯片卡市場(chǎng)提供先進(jìn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品及完整的系統(tǒng)解決方案。英飛凌平均每年投入銷售額的17%用于研發(fā)，全球共擁有41，000項(xiàng)專利。查看更多>>

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英飛凌資訊

中國(guó)GaN半導(dǎo)體巨頭專利侵權(quán)案ITC作出終裁

美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)（ITC）全體委員會(huì)維持了其于2025年12月作出的初步裁定，確認(rèn)英諾賽科（Innoscience）侵犯了英飛凌的一項(xiàng)氮化鎵（GaN）技術(shù)專利，并下令對(duì)英諾賽科實(shí)施進(jìn)口和銷售禁令。不過，ITC委員會(huì)的最...

GaN 氮化鎵 2026-05-08

美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)裁定英飛凌勝訴，并對(duì)英諾賽科實(shí)施進(jìn)口及銷售禁令

· 美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)（ITC）全體委員會(huì)在針對(duì)英諾賽科的專利侵權(quán)案中做出裁決，裁定英飛凌勝訴· &n...

ITC 英飛凌 2026-05-08

英飛凌Q2業(yè)績(jī)回暖，2026財(cái)年?duì)I收超180億美元

季報(bào)穩(wěn)健，全年指引上調(diào)英飛凌2026財(cái)年第二季度（截至2026年3月31日）營(yíng)收達(dá)38.12億歐元（約44.6億美元），環(huán)比增長(zhǎng)4%，同比增長(zhǎng)6%；若以匯率中性口徑計(jì)算，同比增幅達(dá)14%。分部業(yè)績(jī)利潤(rùn)率約為17%，自由現(xiàn)...

英飛凌財(cái)報(bào)分析 2026-05-08

如何應(yīng)用英飛凌新一代G2 CoolSiC? MOSFET 提升系統(tǒng)效率

CoolSiC? MOSFET G2 1200V系列產(chǎn)品是英飛凌最新推出的SiC MOSFET 產(chǎn)品，均采用了擴(kuò)散焊工藝（.XT）來降低結(jié)殼熱阻。TO247封裝器件的導(dǎo)通電阻從7mΩ到78mΩ。產(chǎn)品系列如下：上表給出了...

英飛凌 2026-04-30

SiC MOSFET 體二極管特性及死區(qū)時(shí)間選擇

01、SiC MOSFET的體二極管及其關(guān)鍵特性無論是平面柵還是溝槽柵，SiC MOSFET都采用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其縱向（從漏極到源極）的層狀結(jié)構(gòu)是通用的，如下圖所示：圖1. 溝槽型--英飛凌非對(duì)稱溝柵CoolSiC? M...

英飛凌 SiC MOSFET 2026-04-30

英飛凌為法雷奧在2026北京車展展出的激光束掃描地面投影模塊提供MEMS技術(shù)

【2026年4月27日, 德國(guó)慕尼黑訊】全球半導(dǎo)體和傳感器解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）與全球汽車照明領(lǐng)導(dǎo)者法雷奧正在合作推出集成激光束掃描（LBS）技術(shù)的短...

英飛凌法雷奧 2026-04-27