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 GaN   即氮化鎵,屬第三代半導(dǎo)體材料。 。查看更多>>

  • GaN資訊

中國GaN半導(dǎo)體巨頭專利侵權(quán)案ITC作出終裁

GaN 氮化鎵 2026-05-08

800V AI算力時(shí)代,GaN從“備選”變“剛需”?

800V GaN 2026-04-23

Vishay推出適用于GaN和SiC開關(guān)應(yīng)用EMI濾波的新型航天級(jí)共模扼流圈

Vishay GaN 2026-04-16

英特爾推出全球最薄氮化鎵(GaN)芯粒

英特爾 氮化鎵 2026-04-14

意法半導(dǎo)體推出氮化鎵高速半橋柵極驅(qū)動(dòng)器

第三代半導(dǎo)體的戰(zhàn)略意義:SiC和GaN如何突破硅基芯片的戰(zhàn)場局限

  • GaN專欄

又一 GaN 企業(yè)宣告破產(chǎn)!

GaN 2024-08-04

TI 電源應(yīng)用研討會(huì) 揭密高效節(jié)能新未來

EPR GaN 2023-09-07

40 V耐輻射GaN FET為苛刻的航空航天應(yīng)用設(shè)定新的效能標(biāo)準(zhǔn)

EPC GaN 2023-08-03

Transphorm推出SuperGaN FET的低成本驅(qū)動(dòng)器解決方案

FET GAN 2023-06-28

GAN重出江湖!中國團(tuán)隊(duì)搶先開源“復(fù)刻版”DragGAN,AI一鍵實(shí)現(xiàn)“大象轉(zhuǎn)身”

GAN 2023-06-07

氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器的PCB設(shè)計(jì)策略概要

GaN 2023-02-20
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