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恒憶Omneo系列相變存儲器耐寫次數(shù)高達100萬次

　　近日，恒憶(Numonyx)作為相變存儲技術(shù)(PCM)的創(chuàng)新者，宣布正式推出全新系列相變存儲器。該系列產(chǎn)品采用被稱為相變存儲(PCM)的新一代存儲技術(shù)，具有更高的寫入性能、耐寫次數(shù)和設(shè)計簡易性，適用于固線和無線通信設(shè)...

恒憶相變存儲器 2010-09-28

非易失性半導體存儲器的相變機制

　　非易失性存儲器(NVM)在半導體市場占有重要的一席之地，特別是主要用于手機和其它便攜電子設(shè)備的閃存芯片。今后幾年便攜電子系統(tǒng)對非易失性存儲器的要求更高，數(shù)據(jù)存儲應(yīng)用需要寫入速度極快的高密度存儲器，而代碼執(zhí)行應(yīng)用則要求...

恒憶 NVM 2009-12-16

立足嵌入式應(yīng)用恒憶尋求高利潤增長點

　　走在下行周期上的半導體產(chǎn)業(yè)碰上了30年代“大蕭條”后全球最慘烈的經(jīng)濟危機，猶如雪上加霜。而作為整個行業(yè)晴雨表的存儲器更是早在去年就表現(xiàn)出了極大的疲軟態(tài)勢。英特爾和意法半導體剝離閃存事業(yè)部后，聯(lián)合成立的閃存公司恒憶（N...

恒憶閃存 2008-12-30

恒憶推出新系列NAND閃存

　　恒憶公司（Numonyx）針對無線通信、嵌入式設(shè)計和數(shù)據(jù)存儲市場推出新系列NAND閃存產(chǎn)品。新系列產(chǎn)品包括32Gb（gigabits）的多級單元 (MLC) NAND閃存、32GB（gigabytes）的eMMC存儲...

恒憶 2008-12-19

恒憶與海力士擴大合作共同推廣創(chuàng)新的NAND閃存技術(shù)與產(chǎn)品

　　恒憶（Numonyx）今天宣布與海力士半導體公司達成為期五年的協(xié)議，在飛速增長的NAND閃存領(lǐng)域擴展聯(lián)合開發(fā)計劃。針對NAND技術(shù)在未來五年面臨的挑戰(zhàn)，兩家公司將擴大NAND產(chǎn)品線并共同研發(fā)未來產(chǎn)品，進行技術(shù)創(chuàng)新。 ...

NAND 恒憶 2008-08-07

恒憶推出低價低功耗DDR接口非揮發(fā)性RAM產(chǎn)品

　　恒憶 (Numonyx) 今日宣布推出 Velocity LPTM NV-RAM 產(chǎn)品系列，此系列是業(yè)界最快速的低功耗雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率 (LPDDR) 非揮發(fā)性存儲器，不但可以給手機和消費性電子產(chǎn)品廠商提供更高的存儲...

存儲器恒憶 2008-07-29

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恒憶

恒憶Omneo系列相變存儲器耐寫次數(shù)高達100萬次

非易失性半導體存儲器的相變機制

立足嵌入式應(yīng)用恒憶尋求高利潤增長點

恒憶推出新系列NAND閃存

恒憶與海力士擴大合作共同推廣創(chuàng)新的NAND閃存技術(shù)與產(chǎn)品

恒憶推出低價低功耗DDR接口非揮發(fā)性RAM產(chǎn)品

相變存儲器白皮書

PCM技術(shù)基礎(chǔ)

借助組合式電量計提升精度并縮減系統(tǒng)占用空間

實施可靠電源的途徑

ADI家庭總線數(shù)據(jù)線供電解決方案

EEPW 2025 年度產(chǎn)業(yè)技術(shù)回顧與展望直播——機器人專場