存儲(chǔ)器技術(shù)社區(qū)

存儲(chǔ)器

什么是存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲(chǔ)器的構(gòu)成構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。查看更多>>

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存儲(chǔ)器資訊

力積電：3D AI Foundry將與存儲(chǔ)器、邏輯代工三分天下

據(jù)Digitimes報(bào)道，力積電在2026年第1季法說(shuō)會(huì)上透露，未來(lái)三年內(nèi)將推動(dòng)3D AI Foundry與存儲(chǔ)器、邏輯代工業(yè)務(wù)形成營(yíng)收三足鼎立的局面，各占20%-30%的比重。力積電2026年第1季營(yíng)收達(dá)新臺(tái)幣135....

力積電 Foundry 2026-04-22

NAND報(bào)價(jià)狂漲：LTA將成為存儲(chǔ)器行業(yè)主流模式

本輪半導(dǎo)體行業(yè)復(fù)蘇的核心引擎，當(dāng)屬NAND閃存的價(jià)格暴漲。據(jù)摩根士丹利證券預(yù)測(cè)，MLC（及成熟制程TLC）產(chǎn)品價(jià)格從今年首季到第四季漲幅將超過(guò)200%，下半年供需失衡幅度或達(dá)40%，缺口持續(xù)擴(kuò)大助推價(jià)格飆升。DRAM漲幅...

NAND LTA 2026-04-14

Google AI壓縮技術(shù)引發(fā)市況反轉(zhuǎn)？兩岸存儲(chǔ)器業(yè)界：大缺貨潮恐延續(xù)更久

AI爆發(fā)，存儲(chǔ)器市場(chǎng)進(jìn)入「缺貨、漲價(jià)、搶產(chǎn)能」局面。據(jù)估計(jì)，2026年服務(wù)器內(nèi)存需求將年增將超過(guò)40%，占整體儲(chǔ)存應(yīng)用比重超過(guò)50%，近日Google發(fā)表最新AI壓縮技術(shù)，引發(fā)市場(chǎng)擔(dān)憂內(nèi)存需求反轉(zhuǎn)疑慮。盡管如此，臺(tái)灣、...

Google AI壓縮技術(shù) 2026-03-30

超高速非易失性存儲(chǔ)器（UltraRAM）：后硅時(shí)代存儲(chǔ)器的可行解決方案？

超高速非易失性存儲(chǔ)器（UltraRAM）雖前景廣闊，但接口、器件差異性及可制造性方面的長(zhǎng)期難題，是否會(huì)使其商業(yè)落地功虧一簣？若能打造一款理想的計(jì)算存儲(chǔ)器，它會(huì)是何種形態(tài)？盡管細(xì)節(jié)上眾說(shuō)紛紜，但多數(shù)人會(huì)認(rèn)同，它需兼具閃存這...

超高速非易失性存儲(chǔ)器 UltraRAM 2026-03-18

存儲(chǔ)器現(xiàn)貨價(jià)格最新動(dòng)態(tài)：DRAM 現(xiàn)貨價(jià)高于合約價(jià)，二季度議價(jià)前市場(chǎng)情緒謹(jǐn)慎

DRAM 平均現(xiàn)貨價(jià)格（2 月 25 日 - 3 月 3 日）DDR5 16Gb 4800/5600（2G×8）：77.36→79.14，漲幅 2.25%DDR5 16Gb（2G×8）eTT 版 3200：38.67→3...

存儲(chǔ)器 DRAM 2026-03-05

存儲(chǔ)器價(jià)格追蹤報(bào)告：較 2025 年第四季度暴漲 90%

2026 年一季度至今，存儲(chǔ)器價(jià)格較 2025 年四季度暴漲 80%-90%，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）、閃存（NAND）和高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）價(jià)格均創(chuàng)歷史新高。為緩解成本壓力，原始設(shè)備制造商（OEM）正減少每臺(tái)設(shè)...

存儲(chǔ)器價(jià)格 2026-02-09