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臺(tái)積電暫緩引入High-NA EUV，先進(jìn)制程競(jìng)爭(zhēng)不只是設(shè)備選擇

臺(tái)積電并沒有急著把High-NA EUV（高數(shù)值孔徑極紫外光）光刻技術(shù)放進(jìn)2029年前的量產(chǎn)節(jié)點(diǎn)。作為對(duì)比，英特爾則更早導(dǎo)入High-NA設(shè)備。兩家公司真正的差異，不只是設(shè)備選擇，而是量產(chǎn)節(jié)奏、成本和良率風(fēng)險(xiǎn)的取舍。...

臺(tái)積電英特爾 2026-04-28

4億美元太貴！臺(tái)積電仍拒絕購(gòu)買ASML的High-NA EUV設(shè)備

目前，生產(chǎn)尖端半導(dǎo)體必不可少的EUV（極紫外）光刻設(shè)備由荷蘭ASML獨(dú)家供應(yīng)，而臺(tái)積電2nm工藝就是利用現(xiàn)有的EUV設(shè)備實(shí)現(xiàn)晶圓的大規(guī)模量產(chǎn)，并保持較高的良率。但隨著推進(jìn)到更先進(jìn)的次2nm節(jié)點(diǎn) —— 即1.4nm與1nm...

臺(tái)積電 ASML 2025-10-23

High-NA不是通往2納米時(shí)代的唯一道路

半導(dǎo)體行業(yè)正在重新評(píng)估其制造最先進(jìn)芯片的長(zhǎng)期路線圖。高數(shù)字光圈(High-NA)光刻技術(shù),曾被視為2 nm以下節(jié)點(diǎn)小型化的明確路徑,現(xiàn)在正在與其他選項(xiàng)進(jìn)行權(quán)衡。盡...

High-NA 2納米 2025-09-18

SK海力士引入全球首臺(tái)High-NA EUV設(shè)備

據(jù)SK海力士官方消息，2025年9月3日，該公司在韓國(guó)利川M16工廠成功引進(jìn)了業(yè)界首款量產(chǎn)型高數(shù)值孔徑極紫外光刻機(jī)（High-NA EUV），并舉行了設(shè)備入廠慶祝儀式。此次引進(jìn)的設(shè)備為荷蘭ASML公司開發(fā)的TWINSCA...

SK海力士 High-NA 2025-09-03

半導(dǎo)體巨頭對(duì)high-NA EUV態(tài)度分化

據(jù)外媒報(bào)道，近期，一位匿名英特爾高層提出一種頗具爭(zhēng)議的觀點(diǎn)：未來(lái)晶體管設(shè)計(jì)，例如GAAFET和CFET架構(gòu)，可能會(huì)降低芯片制造對(duì)先進(jìn)光刻設(shè)備的依賴，尤其是對(duì)EUV光刻機(jī)的需求。這一觀點(diǎn)無(wú)疑對(duì)當(dāng)前芯片制造技術(shù)的核心模式提出...

半導(dǎo)體 high-NA EUV 2025-07-01

臺(tái)積電仍在評(píng)估ASML的“High-NA”，因?yàn)橛⑻貭栁磥?lái)會(huì)使用

全球最大的合同芯片制造商臺(tái)積電制造股份有限公司（2330.TW）仍在評(píng)估何時(shí)將 ASML 的尖端高數(shù)值孔徑（NA）機(jī)器用于其未來(lái)的工藝節(jié)點(diǎn)，一位高管周二表示。芯片制造商正在權(quán)衡這些價(jià)值近 4 億美元的機(jī)器的速度和...

臺(tái)積電 ASML 2025-05-28

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