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High-Frequency資訊

臺積電暫緩引入High-NA EUV，先進制程競爭不只是設備選擇

臺積電并沒有急著把High-NA EUV（高數(shù)值孔徑極紫外光）光刻技術放進2029年前的量產(chǎn)節(jié)點。作為對比，英特爾則更早導入High-NA設備。兩家公司真正的差異，不只是設備選擇，而是量產(chǎn)節(jié)奏、成本和良率風險的取舍。...

臺積電英特爾 2026-04-28

4億美元太貴！臺積電仍拒絕購買ASML的High-NA EUV設備

目前，生產(chǎn)尖端半導體必不可少的EUV（極紫外）光刻設備由荷蘭ASML獨家供應，而臺積電2nm工藝就是利用現(xiàn)有的EUV設備實現(xiàn)晶圓的大規(guī)模量產(chǎn)，并保持較高的良率。但隨著推進到更先進的次2nm節(jié)點 —— 即1.4nm與1nm...

臺積電 ASML 2025-10-23

High-NA不是通往2納米時代的唯一道路

半導體行業(yè)正在重新評估其制造最先進芯片的長期路線圖。高數(shù)字光圈(High-NA)光刻技術,曾被視為2 nm以下節(jié)點小型化的明確路徑,現(xiàn)在正在與其他選項進行權衡。盡...

High-NA 2納米 2025-09-18

SK海力士引入全球首臺High-NA EUV設備

據(jù)SK海力士官方消息，2025年9月3日，該公司在韓國利川M16工廠成功引進了業(yè)界首款量產(chǎn)型高數(shù)值孔徑極紫外光刻機（High-NA EUV），并舉行了設備入廠慶祝儀式。此次引進的設備為荷蘭ASML公司開發(fā)的TWINSCA...

SK海力士 High-NA 2025-09-03

半導體巨頭對high-NA EUV態(tài)度分化

據(jù)外媒報道，近期，一位匿名英特爾高層提出一種頗具爭議的觀點：未來晶體管設計，例如GAAFET和CFET架構，可能會降低芯片制造對先進光刻設備的依賴，尤其是對EUV光刻機的需求。這一觀點無疑對當前芯片制造技術的核心模式提出...

半導體 high-NA EUV 2025-07-01

臺積電仍在評估ASML的“High-NA”，因為英特爾未來會使用

全球最大的合同芯片制造商臺積電制造股份有限公司（2330.TW）仍在評估何時將 ASML 的尖端高數(shù)值孔徑（NA）機器用于其未來的工藝節(jié)點，一位高管周二表示。芯片制造商正在權衡這些價值近 4 億美元的機器的速度和...

臺積電 ASML 2025-05-28

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04-23 【應用手冊】High-Speed Differential I/O Interfaces in Stratix Devices

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