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標(biāo)簽

50nm技術(shù)社區(qū)

50nm

納米（符號為nm）是長度單位，原稱毫微米，就是10^-9米（10億分之一米），即10^-6毫米（100萬分之一毫米）。如同厘米、分米和米一樣，是長度的度量單位。相當(dāng)于4倍原子大小，比單個細菌的長度還要小。隨著蘋果(Apple)iPhone及更高階iPod將陸續(xù)登場，可望帶動NAND型快閃存儲器(Flash)市場龐大商機，吸引國際NAND Flash大廠摩拳擦掌，其中，三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)等大廠均已將成熟工藝導(dǎo)入到50或56納米，而仍采用90納米工藝的海力士(Hynix)因明顯無法與競爭對手抗衡，近期在急起直追后，預(yù)計第三季度起導(dǎo)入60納米工藝技術(shù)微縮版的57納米工藝投產(chǎn)NAND Flash，更讓業(yè)界驚訝的是，海力士系采用8英寸廠導(dǎo)入57納米工藝投產(chǎn)。查看更多>>

全部資訊

50nm資訊

武漢新芯50nm高性能SPI NOR Flash產(chǎn)品全線量產(chǎn)

近日，紫光集團旗下武漢新芯集成電路制造有限公司（以下簡稱“武漢新芯”），一家領(lǐng)先的非易失性存儲供應(yīng)商，宣布其采用50nm Floating Gate工藝SPI NOR Flash寬電壓產(chǎn)品系列XM25QWxxC全線量產(chǎn)，...

武漢新芯 SPI NOR Flash 2020-05-14

面向物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用恒爍半導(dǎo)體50nm NOR Flash芯片正式面世

合肥恒爍半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“恒爍半導(dǎo)體”）正式推出第一款面向物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的50nm 128Mb 高速低功耗、業(yè)界最小尺寸的 NOR Flash 存儲芯片，此芯片的推出將有效加快萬物智能互聯(lián)的進程。...

物聯(lián)網(wǎng) 50nm NOR Flash芯片 2020-04-16

武漢新芯推出50nm高性能SPI NOR Flash產(chǎn)品系列

近日，紫光集團旗下武漢新芯集成電路制造有限公司，宣布推出業(yè)界先進的50nm Floating Gate工藝SPI NOR Flash寬電壓產(chǎn)品系列XM25QWxxC。該系列支持低功耗寬電壓工作，為物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備和其它...

武漢新芯 50nm 2019-12-23

分析師稱ASML應(yīng)該對內(nèi)存芯片供不應(yīng)求負一定責(zé)任

　　對于內(nèi)存廠商來說，已經(jīng)過去的2009年就像是一場噩夢。而2010年情況則大有好轉(zhuǎn)，可是今年內(nèi)存廠商卻遇上了芯片供貨緊缺，芯片產(chǎn)品投產(chǎn)準(zhǔn)備時間加長，產(chǎn)品價格居高不下的問題。在本周三舉辦的Memcon會議上，一位分析師將...

ASML 內(nèi)存芯片 2010-08-06

美光推Atom平板機專用低功耗迷你內(nèi)存顆粒

　　美光公司今天宣布了一款新品50nm工藝2Gb DDR2內(nèi)存顆粒產(chǎn)品，依靠其小尺寸、高密度和低功耗特色，專門針對Intel在6月份Computex上宣布的Atom平板機平臺(代號Oak Trail)。Intel Oak...

美光 50nm 2010-07-29

爾必達宣布50nm制程2Gb GDDR5顯存開發(fā)完成

　　日本爾必達公司最近完成了采用銅互連技術(shù)的50nm制程 2Gb密度GDDR5顯存芯片的開發(fā)，這款產(chǎn)品據(jù)稱是在爾必達設(shè)在德國慕尼黑的設(shè)計中心開發(fā)完成的。爾必達表示公司將于今年7月份開始試銷這種50nm 2Gb GDDR5...

爾必達 50nm 2010-06-25

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