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系統(tǒng)級芯片集成對SMT貼片組裝良率的影響

系統(tǒng)級芯片（SoC）存在鮮明兩面性：它簡化整機(jī)電路原理圖，卻大幅提升后端組裝工藝難度。將 CPU、GPU、內(nèi)存等整套運(yùn)算架構(gòu)集成至單顆晶圓內(nèi)，雖然大幅減少元器件用量，卻讓焊點(diǎn)互聯(lián)工藝難度急劇攀升。行業(yè)工藝從常規(guī) 0.8m...

系統(tǒng)級芯片 SMT 2026-05-18

SK海力士HBM混合鍵合工藝良率已提升

據(jù)韓媒報(bào)道，SK海力士近日宣布，其高帶寬存儲器（HBM）混合鍵合工藝的良率已實(shí)現(xiàn)顯著提升。公司技術(shù)負(fù)責(zé)人金鐘勛（Kim Jong-hoon）透露，采用混合鍵合技術(shù)的12層HBM堆疊結(jié)構(gòu)已完成驗(yàn)證工作。目前，團(tuán)隊(duì)正集中精力...

SK海力士 HBM 2026-05-11

韓媒曝三星2納米困境頂尖大廠不買單

三星在關(guān)鍵的良率與量產(chǎn)能力尚未全面達(dá)標(biāo)之前，仍難以撼動(dòng)臺積電在先進(jìn)制程領(lǐng)域的主導(dǎo)地位。南韓媒體《釜山日報(bào)》報(bào)導(dǎo)，三星晶圓代工廠的2納米制程良率仍低于60%的量產(chǎn)門檻。根據(jù)報(bào)導(dǎo)，三星2納米制程初步良率約為55%，距離業(yè)界...

三星 2納米 2026-04-15

芯片清洗：潔凈標(biāo)準(zhǔn)的全新挑戰(zhàn)

先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)下，污染已成為系統(tǒng)級的良率限制因素，且尚無簡單的解決辦法核心要點(diǎn)最先進(jìn)的制程節(jié)點(diǎn)中，污染物的識別難度大幅提升，晶圓廠不得不重新思考污染控制的實(shí)現(xiàn)方式污染引發(fā)的問題可能表現(xiàn)為電學(xué)異常或統(tǒng)計(jì)性偏差，而非顆粒雜質(zhì)，...

芯片清洗良率 2026-02-25

因良率問題，三星Exynos 2600可能僅覆蓋Galaxy S26產(chǎn)量的30%

三星正在推動(dòng) Exynos 的卷土重來，有報(bào)道稱 Exynos 2600 在內(nèi)部測試中表現(xiàn)出色。然而，低收益率仍可能阻礙該芯片的更廣泛采用。據(jù)韓國媒體 DealSite 援引消息人士的話報(bào)道，三星代工...

良率三星 2025-10-26

臺積電“2納米報(bào)價(jià)”震驚市場才65%良率為何敢霸氣開價(jià)？

隨著臺積電2納米制程進(jìn)入量產(chǎn)最后階段，市場關(guān)注度持續(xù)升溫。據(jù)韓媒報(bào)導(dǎo)，臺積電已針對2納米晶圓訂出高達(dá)每片約3萬美元（約新臺幣90萬）的價(jià)格，且堅(jiān)持「不打折、不議價(jià)」，藉此凸顯其在先進(jìn)制程的絕對優(yōu)勢。相較之下，三星則選...

臺積電 2納米 2025-08-21

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良率

系統(tǒng)級芯片集成對SMT貼片組裝良率的影響

SK海力士HBM混合鍵合工藝良率已提升

韓媒曝三星2納米困境頂尖大廠不買單

芯片清洗：潔凈標(biāo)準(zhǔn)的全新挑戰(zhàn)

因良率問題，三星Exynos 2600可能僅覆蓋Galaxy S26產(chǎn)量的30%

臺積電“2納米報(bào)價(jià)”震驚市場才65%良率為何敢霸氣開價(jià)？

新一代蜂巢式系統(tǒng)手機(jī)測試系統(tǒng)

借助組合式電量計(jì)提升精度并縮減系統(tǒng)占用空間

實(shí)施可靠電源的途徑

ADI家庭總線數(shù)據(jù)線供電解決方案

EEPW 2025 年度產(chǎn)業(yè)技術(shù)回顧與展望直播——機(jī)器人專場