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寬禁帶

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中國寬禁帶芯片企業(yè)發(fā)展分化：氮化鎵射頻高歌猛進，碳化硅盈利承壓

2026 年一季度，中國寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)（涵蓋碳化硅 SiC與氮化鎵 GaN）業(yè)績分化明顯。受 5G 基站建設(shè)、電動汽車車載充電機（OBC）強勁需求拉動，氮化鎵射頻（GaN RF）企業(yè)營收大漲；反觀碳化硅功率器件廠商，受...

寬禁帶氮化鎵 2026-05-14

能源發(fā)展趨勢和測試新要求，如何促進功率轉(zhuǎn)換效率的提升

目前電氣化仍是減少碳排放的關(guān)鍵驅(qū)動力，而對高效電源的需求正在加速增長。與傳統(tǒng)硅器件相比，寬禁帶技術(shù)，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（ GaN）等仍是促進功率轉(zhuǎn)換效率的關(guān)鍵。工程師必須重新評估他們的驗證和測試方法，以應對當今電...

高效電源功率轉(zhuǎn)換 2025-02-19

用Python自動化雙脈沖測試

電力電子設(shè)備中使用的半導體材料正從硅過渡到寬禁帶（WBG）半導體，比如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等半導體在更高功率水平下具有卓越的性能，被廣泛應用于汽車和工業(yè)領(lǐng)域中。由于工作電壓高，SiC技術(shù)正被應用于電動汽車動...

202411 寬禁帶 2024-10-18

我國首次突破溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造技術(shù)

9 月 3 日消息，“南京發(fā)布”官方公眾號于 9 月 1 日發(fā)布博文，報道稱國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）歷時 4 年自主研發(fā)，成功攻關(guān)溝槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造關(guān)鍵技術(shù)，打破平面型碳化硅 MOSFET ...

碳化硅 mosfet 2024-09-03

“四兩撥千斤”，寬禁帶技術(shù)如何顛覆性創(chuàng)新

在半導體行業(yè)，新的材料技術(shù)有“四兩撥千斤”的魔力，輕輕松松帶來顛覆性變革。具有先天性能優(yōu)勢的寬禁帶半導體材料脫穎而出。在整個能源轉(zhuǎn)換鏈中，寬禁帶半導體的節(jié)能潛力可為實現(xiàn)長期的全球節(jié)能目標作出貢獻。寬禁帶技術(shù)將推動電力電子...

GaN 寬禁帶 2023-12-07

自動執(zhí)行寬禁帶SiC/GaN器件的雙脈沖測試

_____減少碳排放的迫切需求推動了對電氣技術(shù)的投資，特別是數(shù)據(jù)中心和電動汽車領(lǐng)域。根據(jù)彭博社最新的電動汽車展望報告，到 2050 年，幾乎所有道路運輸都將實現(xiàn)電氣化，預計將導致全球電力需求激增 27%。這一趨勢凸顯了電...

寬禁帶 SiC 2023-09-05

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寬禁帶

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能源發(fā)展趨勢和測試新要求，如何促進功率轉(zhuǎn)換效率的提升

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“四兩撥千斤”，寬禁帶技術(shù)如何顛覆性創(chuàng)新

自動執(zhí)行寬禁帶SiC/GaN器件的雙脈沖測試

借助組合式電量計提升精度并縮減系統(tǒng)占用空間

實施可靠電源的途徑

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EEPW 2025 年度產(chǎn)業(yè)技術(shù)回顧與展望直播——機器人專場