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新品 | 英飛凌XHP? 2系列2300V CoolSiC? 碳化硅MOSFET

作者: 時間:2026-04-09 來源:英飛凌 收藏

XHP? 2系列2300V CoolSiC?

圖片

為順應(yīng)可再生能源領(lǐng)域中1500V直流母線應(yīng)用日益增長的趨勢,推出XHP? 2系列2300V CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品擴充。該系列產(chǎn)品電流規(guī)格豐富,最高可達2000A,并提供4kV或6kV的隔離電壓等級,非常適用于高功率應(yīng)用。結(jié)合可靠耐用的.XT擴散焊技術(shù),該產(chǎn)品在使用壽命和可靠性方面均達到同類最佳水平,為高可靠性應(yīng)用提供了堅實的保障。

每款模塊均可提供預(yù)涂導(dǎo)熱界面材料版本,以簡化組裝流程,并實現(xiàn)最佳熱性能。

產(chǎn)品型號:

■FF1000UXTR23T2M1_B5

■FF1000UXTR23T2M1P

■FF1000UXTR23T2M1

■FF1300UXTR23T2M1P

■FF1300UXTR23T2M1

■FF2000UXTR23T2M1P

■FF2000UXTR23T2M1

產(chǎn)品特性


CoolSiC? MOSFET,耐壓2.3kV

集成體二極管

導(dǎo)通電阻低至0.95mΩ

低電感XHP? 2封裝

.XT擴散焊技術(shù)

對稱的模塊設(shè)計

高浪涌電流承受能力

短路耐受能力

極低的開關(guān)與導(dǎo)通損耗

最高持續(xù)工作結(jié)溫175°C

4kV與6kV隔離電壓

銅基板與鋁碳化硅復(fù)合基板可選

應(yīng)用價值

卓越能效

超高功率密度

更長使用壽命

業(yè)界頂尖的可靠性

競爭優(yōu)勢

2300V阻斷電壓,適用于更高的直流母線電壓(標稱1500V,最高可達1800V)

具備短路魯棒性

具備浪涌電流魯棒性

材料結(jié)構(gòu)允許芯片最高持續(xù)工作結(jié)溫達175°C

應(yīng)用領(lǐng)域

可再生能源(風(fēng)電、光伏)

電池儲能系統(tǒng)

氫能


關(guān)鍵詞: 英飛凌 碳化硅MOSFET

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