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英飛凌碳化硅功率半導(dǎo)體成功應(yīng)用于豐田“bZ4X”新車型

作者: 時(shí)間:2026-02-28 來(lái)源:EEPW 收藏

科技股份公司近日宣布,全球最大汽車制造商豐田已在其新款車型bZ4X中采用了的CoolSiC? MOSFET(功率MOSFET)產(chǎn)品。這款MOSFET集成在車載充電器(OBC)和DC/DC轉(zhuǎn)換器中,利用材料低損耗、耐高溫、耐高壓的特性和優(yōu)勢(shì),能夠有效延長(zhǎng)電動(dòng)汽車的續(xù)航里程并縮短充電時(shí)間。

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豐田新款bZ4X車型在車載充電器與DC/DC轉(zhuǎn)換器中采用了CoolSiC?技術(shù)(圖片由豐田提供)

英飛凌科技執(zhí)行副總裁、汽車業(yè)務(wù)首席營(yíng)銷官Peter Schaefer表示:“全球最大的汽車制造商之一豐田選用了英飛凌的CoolSiC技術(shù),對(duì)此我們深感自豪。碳化硅能夠有效提升電動(dòng)汽車的續(xù)航能力、效率和性能,因此也將在塑造未來(lái)交通出行的過(guò)程中發(fā)揮重要作用。英飛凌矢志創(chuàng)新,承諾零缺陷品質(zhì),已做好充分準(zhǔn)備,蓄勢(shì)待發(fā),以應(yīng)對(duì)電動(dòng)交通出行領(lǐng)域功率電子需求的快速增長(zhǎng)?!?/p>

英飛凌CoolSiC? MOSFET采用獨(dú)特的溝槽柵結(jié)構(gòu),可降低歸一化導(dǎo)通電阻并縮減芯片尺寸,從而減少導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗,有助于提升汽車車載電源系統(tǒng)的效率。此外,經(jīng)過(guò)優(yōu)化的寄生電容和柵極閾值電壓支持單極柵極驅(qū)動(dòng),不僅有助于簡(jiǎn)化汽車電驅(qū)系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì),也能為車載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器實(shí)現(xiàn)高密度、高可靠性的設(shè)計(jì)提供支持。


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