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SK海力士正在開發(fā)低功耗LPDDR5M：能效提高8%
- 2月28日消息，SK海力士正致力于開發(fā)新一代低功耗內(nèi)存LPDDR5M，其數(shù)據(jù)傳輸速率與現(xiàn)有的LPDDR5T相同，均為9.6Gbps，但在能效方面實現(xiàn)了顯著提升。LPDDR5M的工作電壓從1.01-1.12V降至0.98V，能效提高了8%。這一技術(shù)突破預(yù)計將廣泛應(yīng)用于具備設(shè)備端AI功能的智能手機(jī)中，使其在本地運行密集型操作時消耗更少的電量，從而滿足設(shè)備制造商對高效能、低功耗的需求。業(yè)內(nèi)人士推測，SK海力士最快將于年內(nèi)推出LPDDR5M產(chǎn)品。與此同時，SK海力士在高帶寬內(nèi)存（HBM）領(lǐng)域的研發(fā)也取得了重要進(jìn)展
- 關(guān)鍵字： SK海力士 低功耗內(nèi)存 LPDDR5M
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