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氧化銦芯片為何備受關(guān)注？
- 低漏電特性使其在存儲應(yīng)用中極具潛力，尤其適用于無電容增益單元設(shè)計；支持低溫工藝大面積沉積，這一特性對后端工藝（BEOL）集成極具吸引力；豐富的成分選擇為設(shè)計人員提供了多樣化方案，可按需實現(xiàn)特定性能 —— 氧化銦錫（ITO）、氧化銦（In?O?）、氧化銦鎵（IGO）、氧化銦鎵鋅（IGZO）乃至氧化銦鎵鋅錫（IGZTO），均在部分應(yīng)用場景中展現(xiàn)出良好前景。隨著半導(dǎo)體行業(yè)對單片三維集成技術(shù)的重視程度不斷提升，銦基氧化物半導(dǎo)體正吸引越來越多的關(guān)注。多樣化的材料選擇，讓設(shè)計人員可通過調(diào)整成分，平衡閾值電壓（V?）與
- 關(guān)鍵字： 應(yīng)用材料 偏壓溫度不穩(wěn)定性 BTI IEEE IEDM 氧化銦 芯片 三星
國際集成電路頂會收錄論文數(shù)公布，中國首次位居世界第一
- IT之家 11 月 20 日消息，相對于 IEEE 國際研討會，在半導(dǎo)體和集成電路領(lǐng)域還有著三大盛會的存在，他們分別是：ISSCC（International Solid-State Circuits Conference，國際固態(tài)電路會議）、IEDM（International Electron Devices Meeting，國際電子器件會議）、VLSI（Symposium on VLSI Technology and Circuits，超大規(guī)模集成電路技術(shù)和電路研討會）。這三大會議，并稱集
- 關(guān)鍵字： ISSCC IEDM VLSI IEEE
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