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用于電源SiP的半橋MOSFET集成方案研究
- 系統(tǒng)級(jí)封裝（System in Package，SiP）設(shè)計(jì)理念是實(shí)現(xiàn)電源小型化的有效方法之一。然而，SiP空間有限，功率開關(guān)MOSFET的集成封裝方案對(duì)電源性能影響大。本文討論同步開關(guān)電源拓?fù)渲械陌霕騇OSFET的不同布局方法，包括基板表面平鋪、腔體設(shè)計(jì)、3D堆疊等；以及不同的電源互連方式，包括鍵合、銅片夾扣等。從封裝尺寸、載流能力、熱阻、工藝復(fù)雜度、組裝維修等方面，對(duì)比了不同方案的優(yōu)缺點(diǎn)，為電源SiP的設(shè)計(jì)提供參考。
- 關(guān)鍵字： 系統(tǒng)級(jí)封裝 腔體 3D堆疊 鍵合 銅片夾扣 202112 MOSFET
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