據羅姆官方消息，日本半導體制造商羅姆在今年3月完成了第5代碳化硅（SiC）MOSFET的開發(fā)。新產品通過改進器件結構和優(yōu)化制造工藝，在175℃結溫（Tj）條件下，導通電阻較上一代產品降低了約30%。羅姆指出，這款SiC MOSFET在電動汽車（xEV）牽引逆變器等高溫環(huán)境下表現出色，能夠有效縮小單元體積并提升輸出功率。同時，該芯片還非常適合用于AI服務器電源和數據中心等工業(yè)設備的電源系統(tǒng)，展現了其在高性能應用場景中的潛力。