SemiQ 推出面向數(shù)據(jù)中心制冷與工業(yè)驅(qū)動(dòng)的半橋系列產(chǎn)品，集成 1mΩ 導(dǎo)通電阻 SiC MOSFET 與并聯(lián)碳化硅二極管，實(shí)現(xiàn)高功率轉(zhuǎn)換效率。

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SemiQ 公司開(kāi)發(fā)的 QSiC Dual3 系列 1200V 半橋 MOSFET 模塊，主要面向數(shù)據(jù)中心制冷系統(tǒng)中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)電網(wǎng)變流器以及工業(yè)驅(qū)動(dòng)設(shè)備。

該系列共六款產(chǎn)品，其中兩款的導(dǎo)通電阻 RDS (on) 僅 1mΩ，在 62mm×152mm 封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn) 240W/in3 的功率密度。QSiC Dual3 系列旨在以最小的設(shè)計(jì)改動(dòng)，實(shí)現(xiàn)對(duì) IGBT 模塊的直接替換。

所有 MOSFET 芯片均經(jīng)過(guò)超過(guò) 1450V 的晶圓級(jí)柵氧化層老化測(cè)試篩選。此外，該系列模塊具有更低的結(jié)殼熱阻，可使用更小、更輕的散熱器，顯著簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。